Горлов Ю.П. Технология теплоизоляционных материалов. Страница 270

Водопоглощенйе и гигроскопичность пенопластов существенно зависят от химической природы полимера, характера пористой структуры, объемной массы, особенностей технологии и, наконец, от продолжительности увлажнения. Пенопластам, имеющим преимущественно открытую сообщающуюся пористость (мочевиноформаль- • дегидные, фенольные), свойственно повышенное водопоглощенйе. После 24 ч пребывания в воде водопоглощенйе пенопластов- на основе мочевиноформальдегидных смол составляет около 1200% по массе. Более плотный слой, образующийся при изготовлении на поверхности заливочных фенольных пенопластов, способствует некоторому снижению их водопоглощения (полное водо- насыщение наступает через 120 сут и достигает около 80—90% по объему). У заливочных полиуретановых и поливинилхлоридных (пенопластов, характеризующихся .преобладанием замкнутой ячеистой структуры, водопоглощение невысокое.

Сорбционная влажность пенопластов возрастает с уменьшением объемной массы и увеличением влажности воздуха. Изотерма сорбции пёнопластов так же, как и

для других капиллярно-пористых тел, состоит из трех участков (рис. 17.3). Это объясняется тем, что процесс сорбции водяного пара происходит в такой последовательности: начальный участок кривой при малых значениях относительной влажности воздуха (Woth< <20%) характеризует в основном мономолекулярную адсорбцию воды; С повышением Woth до 80% на поверхности пор образуется полимолекулярный адсорбированный слой сконденсировавшегося пара. При Woth>80% изотерма сорбции круто изгибается вверх, что указывает на резкое увеличение влажности материала вследствие интенсивного проникновения влаги в поры из-за капиллярной конденсации.

Паррпроницаемость пенопластов, изготовленных по прессовой технологии, незначительна и с увеличением объемной массы уменьшается, что связано с возрастанием закрытой иористости материала. С увеличением открытой пористости (мочевиноформ альдегидные, заливочные, фенольные иенопласты) паропрони|цаемость материалов увеличивается.;